Įmonė Samsung Electronics paskelbė, kad pradeda masinę pirmosios rinkoje vieno kristalo sistemos System-on-Chip (SoC, detales skaitykite čia) 10 nm FinFET procese.

10 nanometrų jau yra rinkoje

„Pirmasis masinės gamybos 10 nm FinFET sprendimas rinkoje patvirtina mūsų lyderystę kuriant pažangias technologijas“, – sakė puslaidininkių gamybos padalinio vadovas Yeon Shi-yun, vykdomasis viceprezidentas. Samsung Elektronika. – Ir toliau dėsime visas pastangas, kad sukurtume inovatyvias keičiamo dydžio technologijas ir pateiktume vartotojams diferencijuotus integruotus sprendimus.

Naujas procesorius Samsung 10 nm FinFET (10LPE) turi pažangią tranzistorių 3D struktūrą. Jo veikimo technologija ir dizainas buvo patobulinti, palyginti su ankstesne 14 nm versija, todėl užtikrinamas 30 % didesnis specifinis paviršiaus efektyvumas, 40 % didesnis našumas ir 40 % mažesnės energijos sąnaudos. Siekiant pašalinti mastelio apribojimus, naujasis sprendimas naudoja naujausią techninį sprendimą – trigubą struktūrizavimą. Tai suteikia dvipusį maršruto parinkimą, kad būtų lengviau projektuojant ir sudarant maršrutą, palyginti su ankstesniais modeliais.

Prieš Samsung pristatė pirmosios kartos sprendimus, skirtus 10 nm technologiniam procesui (10LPE). Antrosios kartos (10LPP) našumas pagerėjo, masinės gamybos pradžia numatyta 2017 m. antroje pusėje.

Glaudžiai bendradarbiaujant su partneriais Samsung taip pat ketina sukurti funkcionalią puslaidininkinę ekosistemą, kurioje būtų integruoti atskaitos srauto, IP ir bibliotekos tikrinimo įrankiai. Šiuo metu architektūrai paleisti yra gamybos kūrimo rinkinys (PDK) ir IP kūrimo rinkinys.

10 nm SoC sistema bus naudojama skaitmeniniuose įrenginiuose nuo kitų metų pradžios. Tikimasi, kad jie taps prieinami masiniam vartotojui 2017 m. Galite sužinoti daugiau apie įmonę Prisijungęs .