Šaltinio teigimu, didžiausia puslaidininkinių gaminių sutartinė gamintoja TSMC pradėjo gamybinio komplekso, kuriame planuojama įvaldyti 2 nanometrų technologinį procesą, statybas. Kompleksą sudaro MTEP centras ir gamybos patalpa. Nauji objektai bus netoli bendrovės būstinės Hsinchu mokslo parke, Taivane.
Pirminiais duomenimis, 2 nanometrų procese bus naudojama Gate-All-Around (GAA) technologija. Tuo pačiu metu gamintojas pradėjo planuoti 1 nanometro techninio proceso kūrimą.
Kartu su krištolo gamybos technologijomis įmonė tobulina jų pakavimo technologijas. Ji planuoja paspartinti pažangių pakavimo technologijų, tokių kaip SoIC, InFO, CoWoS ir WoW, pritaikymą. Visus juos TSMC klasifikuoja kaip 3D audinį, nors kai kurie iš jų nurodo 2.5D. Šios technologijos bus pradėtos masiškai gaminti ZhuNan ir NanKe linijose antroje 2021 m. pusėje.
Taip pat skaitykite: