Procesorių gamintojai niekada nesustoja fundamentalių ir taikomųjų tyrimų bei plėtros, todėl dabar, kai Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC) nustatė savo N2 (2 nm klasės) gamybos proceso terminą, per kurį 2025 m. bus pradėta naudoti kelių tūrių gamyba (HVM), todėl įmonei laikas pagalvoti apie kitą procesą. Jei tikėti naujais gandais, birželį TSMC ketina oficialiai paskelbti savo 1,4 nm klasės technologiją.
Taigi, „Business Korea“ teigimu, TSMC birželį planuoja perkelti savo N3 mazgą (3 nm klasė) sukūrusią komandą į 1,4 nm klasės gamybos procesą. Paprastai liejyklos ir lustų gamintojai niekada oficialiai neskelbia gairių, todėl vargu ar pamatysime TSMC pranešimą spaudai, kuriame teigiama, kad pradėtas kurti 1,4 nm lustas. Tuo tarpu TSMC savo technologijų simpoziumą planuoja surengti birželio viduryje, o ten bendrovė gali atskleisti keletą trumpų detalių apie mazgą, kuris pakeis N2 gamybos procesą.
Standartinis technologinio projektavimo procesas apima kelių paieškos, tyrimų ir plėtros etapus. Kelio paieška apima tokius dalykus kaip fundamentalūs medžiagų ir fizikos tyrimai, ir daugeliu atvejų tai atliekama vienu metu daugelyje lustų. Kol kas TSMC 2 nm kelio paieška tikriausiai baigėsi, todėl atitinkamos grupės, besispecializuojančios fundamentaliosios fizikos ir chemijos srityse, kuria 2 nm įpėdinį, kurį būtų galima pavadinti 1,4 nm arba 14 angstremų.
TSMC 2 nm yra pagrįstas vartų lauko efekto tranzistoriais (GAAFET), tačiau bus naudojama esama ekstremalioji ultravioletinė (EUV) litografija, kurios skaitmeninė diafragma yra 0,33 (0,33 NA). Atsižvelgiant į šiandien žinomą TSMC 2 nm detalę, gali būti, kad jo įpėdinis išliks GAA tranzistorius, tačiau iš tikrųjų dar reikia pamatyti, ar jis ketina pereiti prie EUV įrankių, kurių skaitmeninė diafragma yra 0,55.
Jūs galite padėti Ukrainai kovoti su Rusijos įsibrovėliais. Geriausias būdas tai padaryti – aukoti lėšas Ukrainos ginkluotosioms pajėgoms per Išgelbėk gyvybę arba per oficialų puslapį NBU.
Taip pat skaitykite:
Palikti atsakymą