Samsung paskelbė apie masinės 16 gigabitų DDR5 DRAM atminties, kurioje naudojamas pažangiausias pramonėje 12 nanometrų klasės technologinis procesas, gamybos pradžią. Užbaigtas moderniausias gamybos procesas dar kartą patvirtina įmonės lyderystę Samsung pažangių DRAM technologijų srityje.
Palyginti su ankstesne karta, nauja RAM Samsung 5 nm klasės DDR12 DRAM sumažina energijos sąnaudas 23%, o plokštelės našumą padidina 20%. Dėl išskirtinio energijos vartojimo efektyvumo jis yra idealus sprendimas pasaulinėms IT įmonėms, norinčioms sumažinti savo serverių ir duomenų centrų energijos suvartojimą ir anglies pėdsaką.
plėtra Samsung 12 nm proceso technologija tapo įmanoma naudojant naują, didelio laidumo medžiagą, kuri padeda padidinti elementų talpą. Didelė talpa lemia didelį duomenų signalų elektrinių potencialų skirtumą, todėl juos lengviau tiksliai atskirti. Įmonės pastangos mažinti darbinę įtampą ir triukšmą taip pat padėjo sukurti optimalų sprendimą, kurio reikėjo klientams.
Didžiausia 7,2 gigabito per sekundę sparta, o tai reiškia, kad du 30 GB UHD filmai gali būti apdoroti maždaug per sekundę, „Samsung“ 5 nm DDR12 DRAM linija palaikys didėjantį programų sąrašą, įskaitant duomenų centrus, dirbtinį intelektą ir naujos kartos skaičiavimus.
Praėjusį gruodį „Samsung“ baigė išbandyti savo 16 gigabitų DDR5 DRAM suderinamumą su AMD ir toliau bendradarbiauja su pasaulinėmis IT įmonėmis, siekdama paskatinti naujoves naujos kartos DRAM rinkoje.
Taip pat skaitykite:
Palikti atsakymą